ALD111933PAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

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MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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Specifiche per ALD111933PAL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : ALD111933PAL
fabbricante : Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Serie : EPAD®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.35V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Potenza - Max : 500mW
temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDIP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per ALD111933PAL

Schede tecniche : ALD111933PAL.pdf

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