IPD105N03LGATMA1 - MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

codice articolo del costruttore

IPD105N03LGATMA1

Numero parte interna

AX-IPD105N03LGATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4856 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha IPD105N03LGATMA1 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per IPD105N03LGATMA1. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per IPD105N03LGATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPD105N03LGATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 38W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPD10 , IPD105N0

Documenti per IPD105N03LGATMA1

Schede tecniche : IPD105N03LGATMA1.pdf

Prodotti correlati per IPD105N03LGATMA1 Infineon Technologies

Numero parte	Marca	Descrizione
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 20KV SCREW.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 16KV SCREW.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WF165336WQ75233BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.
TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.