FDG361N - MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

codice articolo del costruttore

FDG361N

Numero parte interna

AX-FDG361N

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

69280 Pieces

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Specifiche per FDG361N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDG361N

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 600mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 153pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 420mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-88 (SC-70-6)

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDG361N

Schede tecniche : FDG361N.pdf

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