DMN2501UFB4-7 - MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

codice articolo del costruttore

DMN2501UFB4-7

Numero parte interna

AX-DMN2501UFB4-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4289965 Pieces

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Specifiche per DMN2501UFB4-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN2501UFB4-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 82pF @ 16V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : X2-DFN1006-3

Pacchetto / caso : 3-XFDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN2 , DMN250

Documenti per DMN2501UFB4-7

Schede tecniche : DMN2501UFB4-7.pdf

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