APT70GR65B2SCD30 - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
57774 Pieces
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Specifiche per APT70GR65B2SCD30
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
APT70GR65B2SCD30
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Serie :
*
Stato parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
134A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) :
260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 70A
Potenza - Max :
595W
Cambiare energia :
-
Tipo di input :
-
Carica del cancello :
305nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C :
19ns/170ns
Condizione di test :
433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) :
-
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto / caso :
TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore :
T-MAX™ [B2]
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per APT70GR65B2SCD30
Schede tecniche :
APT70GR65B2SCD30.pdf
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