EMF8T2R - TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

codice articolo del costruttore

EMF8T2R

Numero parte interna

AX-EMF8T2R

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3384035 Pieces

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Specifiche per EMF8T2R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EMF8T2R

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Transistor Type : 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V, 12V

Resistor - Base (R1) : 47 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2) : 47 kOhms

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA

Frequenza - Transizione : 250MHz, 320MHz

Potenza - Max : 150mW

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore : EMT6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Schede tecniche : EMF8T2R.pdf

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