RN1901,LF(CT - TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
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Specifiche per RN1901,LF(CT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : RN1901,LF(CT
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) : 1 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) : 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione : 250MHz
Potenza - Max : 200mW
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore : US6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : RN19 , RN1901

Documenti per RN1901,LF(CT

Schede tecniche : RN1901,LF(CT.pdf

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