DMT10H015LCG-7 - MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
995325 Pieces
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Specifiche per DMT10H015LCG-7
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
DMT10H015LCG-7
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9.4A (Ta), 34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
33.3nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1871pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
V-DFN3333-8
Pacchetto / caso :
8-VDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per DMT10H015LCG-7
Schede tecniche :
DMT10H015LCG-7.pdf
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