EFC6601R-A-TR - MOSFET 2N-CH EFCP

codice articolo del costruttore

EFC6601R-A-TR

Numero parte interna

AX-EFC6601R-A-TR

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH EFCP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

28462 Pieces

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Specifiche per EFC6601R-A-TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EFC6601R-A-TR

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH EFCP

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : -

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-XFBGA, FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : EFCP2718-6CE-020

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EFC6 , EFC660

Documenti per EFC6601R-A-TR

Schede tecniche : EFC6601R-A-TR.pdf

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