EFC6601R-A-TR - MOSFET 2N-CH EFCP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH EFCP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
28462 Pieces
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Specifiche per EFC6601R-A-TR
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
EFC6601R-A-TR
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2N-CH EFCP
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) :
-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
2W
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-XFBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
EFCP2718-6CE-020
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per EFC6601R-A-TR
Schede tecniche :
EFC6601R-A-TR.pdf
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