TPC6006-H(TE85L,F) - MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

codice articolo del costruttore

TPC6006-H(TE85L,F)

Numero parte interna

AX-TPC6006-H(TE85L,F)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6848 Pieces

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Specifiche per TPC6006-H(TE85L,F)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPC6006-H(TE85L,F)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

Serie : U-MOSIII-H

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 251pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : VS-6 (2.9x2.8)

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TPC6006-H(TE85L,F)

Schede tecniche : TPC6006-H(TE85L,F).pdf

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