EPC2105ENG - GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

codice articolo del costruttore

EPC2105ENG

Numero parte interna

AX-EPC2105ENG

fabbricante

EPC

Breve descrizione

GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

28483 Pieces

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Specifiche per EPC2105ENG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EPC2105ENG

fabbricante : EPC

Descrizione : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 40V

Potenza - Max : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : Die

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EPC , EPC21

Documenti per EPC2105ENG

Schede tecniche : EPC2105ENG.pdf

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