FCD9N60NTM - MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

codice articolo del costruttore

FCD9N60NTM

Numero parte interna

AX-FCD9N60NTM

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

316330 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per FCD9N60NTM

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FCD9N60NTM

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Serie : SupreMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 385 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17.8nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 92.6W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FCD , FCD9N

Documenti per FCD9N60NTM

Schede tecniche : FCD9N60NTM.pdf

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