FCD9N60NTM - MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FCD9N60NTM
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
316330 Pieces
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Specifiche per FCD9N60NTM
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FCD9N60NTM
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
Serie :
SupreMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
385 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17.8nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
92.6W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D-Pak
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FCD9N60NTM
Schede tecniche :
FCD9N60NTM.pdf
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