PMDPB42UN,115 - MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
29239 Pieces
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Specifiche per PMDPB42UN,115
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PMDPB42UN,115
fabbricante :
NXP USA Inc.
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
3.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
185pF @ 10V
Potenza - Max :
510mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore :
DFN2020-6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PMDPB42UN,115
Schede tecniche :
PMDPB42UN,115.pdf
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