PMV185XN,215 - MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-PMV185XN,215
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
19784 Pieces
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Specifiche per PMV185XN,215
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : PMV185XN,215
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 76pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-236AB (SOT23)
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per PMV185XN,215
Schede tecniche : PMV185XN,215.pdf
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