RUS100N02TB - MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-RUS100N02TB
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
554450 Pieces
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Specifiche per RUS100N02TB
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : RUS100N02TB
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2250pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per RUS100N02TB
Schede tecniche : RUS100N02TB.pdf
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