SIZ926DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
811870 Pieces
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Specifiche per SIZ926DT-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SIZ926DT-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Serie : TrenchFET® Gen IV
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Potenza - Max : 20.2W, 40W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PowerPair® (6x5)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SIZ926DT-T1-GE3
Schede tecniche : SIZ926DT-T1-GE3.pdf
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