NDD60N900U1-1G - MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

codice articolo del costruttore

NDD60N900U1-1G

Numero parte interna

AX-NDD60N900U1-1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

21832 Pieces

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Specifiche per NDD60N900U1-1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NDD60N900U1-1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 74W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per NDD60N900U1-1G

Schede tecniche : NDD60N900U1-1G.pdf

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