IXTQ200N10T - MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

codice articolo del costruttore

IXTQ200N10T

Numero parte interna

AX-IXTQ200N10T

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

83055 Pieces

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Specifiche per IXTQ200N10T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTQ200N10T

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

Serie : TrenchMV™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 152nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9400pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 550W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P

Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT , IXTQ2

Documenti per IXTQ200N10T

Schede tecniche : IXTQ200N10T.pdf

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