TK11P65W,RQ - MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-TK11P65W,RQ
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
568035 Pieces
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Specifiche per TK11P65W,RQ
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TK11P65W,RQ
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
Serie :
DTMOSIV
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
11.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 300V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
100W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DPAK
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TK11P65W,RQ
Schede tecniche :
TK11P65W,RQ.pdf
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