TK11P65W,RQ - MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S

codice articolo del costruttore

TK11P65W,RQ

Numero parte interna

AX-TK11P65W,RQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

568035 Pieces

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Specifiche per TK11P65W,RQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK11P65W,RQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S

Serie : DTMOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 450µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 300V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TK11P65W,RQ

Schede tecniche : TK11P65W,RQ.pdf

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