IRL40T209ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
133170 Pieces
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Specifiche per IRL40T209ATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRL40T209ATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
Serie :
StrongIRFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
300A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.72 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
269nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
16000pF @ 20V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
500W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-HSOF-8-1
Pacchetto / caso :
8-PowerSFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRL40T209ATMA1
Schede tecniche :
IRL40T209ATMA1.pdf
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