BAS19-HE3-08 - DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

codice articolo del costruttore

BAS19-HE3-08

Numero parte interna

AX-BAS19-HE3-08

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

14423415 Pieces

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Specifiche per BAS19-HE3-08

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BAS19-HE3-08

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 200mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200mA

Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr) : 50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100nA @ 100V

Capacità @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BAS1 , BAS19-

Documenti per BAS19-HE3-08

Schede tecniche : BAS19-HE3-08.pdf

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