FDB10AN06A0 - MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

codice articolo del costruttore

FDB10AN06A0

Numero parte interna

AX-FDB10AN06A0

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

69175 Pieces

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Specifiche per FDB10AN06A0

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDB10AN06A0

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 75A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1840pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 135W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDB , FDB10

Documenti per FDB10AN06A0

Schede tecniche : FDB10AN06A0.pdf

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