MURTA600120R - DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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Specifiche per MURTA600120R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : MURTA600120R
fabbricante : GeneSiC Semiconductor
Descrizione : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Serie : -
Stato parte : Active
Configurazione diodi : 1 Pair Common Anode
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) : 300A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 300A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 25µA @ 1200V
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore : Three Tower
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : MURT , MURTA6

Documenti per MURTA600120R

Schede tecniche : MURTA600120R.pdf

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