SQJ963EP-T1_GE3 - MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
491695 Pieces
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Specifiche per SQJ963EP-T1_GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SQJ963EP-T1_GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1140pF @ 30V
Potenza - Max :
27W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TA)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® SO-8 Dual
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SQJ963EP-T1_GE3
Schede tecniche :
SQJ963EP-T1_GE3.pdf
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