FDC6301N_G - MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

codice articolo del costruttore

FDC6301N_G

Numero parte interna

AX-FDC6301N_G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

32711 Pieces

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Specifiche per FDC6301N_G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDC6301N_G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 10V

Potenza - Max : 700mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDC , FDC63

Documenti per FDC6301N_G

Schede tecniche : FDC6301N_G.pdf

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