FDC6301N_G - MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDC6301N_G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
32711 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per FDC6301N_G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDC6301N_G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
9.5pF @ 10V
Potenza - Max :
700mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore :
SuperSOT™-6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDC6301N_G
Schede tecniche :
FDC6301N_G.pdf
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