IPL65R1K0C6SATMA1 - MOSFET N-CH 8TSON

codice articolo del costruttore

IPL65R1K0C6SATMA1

Numero parte interna

AX-IPL65R1K0C6SATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 8TSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

814120 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IPL65R1K0C6SATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPL65R1K0C6SATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 8TSON

Serie : CoolMOS™ C6

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 328pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 34.7W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : Thin-PAK (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPL65 , IPL65R1K

Documenti per IPL65R1K0C6SATMA1

Schede tecniche : IPL65R1K0C6SATMA1.pdf

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