NVMFS6B14NLWFT1G - MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
23408 Pieces
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Specifiche per NVMFS6B14NLWFT1G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NVMFS6B14NLWFT1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta), 55A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1680pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.8W (Ta), 94W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NVMFS6B14NLWFT1G
Schede tecniche :
NVMFS6B14NLWFT1G.pdf
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