IXFH18N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFH18N100Q3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
46800 Pieces
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Specifiche per IXFH18N100Q3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IXFH18N100Q3
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Serie : HiPerFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4890pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 830W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IXFH18N100Q3
Schede tecniche : IXFH18N100Q3.pdf
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