DMP1012UCB9-7 - MOSFET P-CH 8V 10A

codice articolo del costruttore

DMP1012UCB9-7

Numero parte interna

AX-DMP1012UCB9-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET P-CH 8V 10A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1315675 Pieces

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Specifiche per DMP1012UCB9-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMP1012UCB9-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET P-CH 8V 10A

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : -6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 4V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 890mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : U-WLB1515-9

Pacchetto / caso : 9-UFBGA, WLBGA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMP1 , DMP101

Documenti per DMP1012UCB9-7

Schede tecniche : DMP1012UCB9-7.pdf

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