VS-8EWS10STRRPBF - DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per VS-8EWS10STRRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : VS-8EWS10STRRPBF
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Corrente: media rettificata (Io) : 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 50µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : VS-8E , VS-8EWS1

Documenti per VS-8EWS10STRRPBF

Schede tecniche : VS-8EWS10STRRPBF.pdf

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