JANTXV1N5809US - DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
23597 Pieces
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Specifiche per JANTXV1N5809US
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
JANTXV1N5809US
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/477
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Corrente: media rettificata (Io) :
3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore :
B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per JANTXV1N5809US
Schede tecniche :
JANTXV1N5809US.pdf
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