DMN3730UFB4-7B - MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006

codice articolo del costruttore

DMN3730UFB4-7B

Numero parte interna

AX-DMN3730UFB4-7B

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

7164190 Pieces

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Specifiche per DMN3730UFB4-7B

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN3730UFB4-7B

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 750mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 64.3pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 470mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : X2-DFN1006-3

Pacchetto / caso : 3-XFDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN3 , DMN3730

Documenti per DMN3730UFB4-7B

Schede tecniche : DMN3730UFB4-7B.pdf

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