SI1011X-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V SC-89

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MOSFET P-CH 12V SC-89
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI1011X-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI1011X-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 12V SC-89
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 640 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 62pF @ 6V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 190mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SC-89-3
Pacchetto / caso : SC-89, SOT-490
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI10 , SI1011X

Documenti per SI1011X-T1-GE3

Schede tecniche : SI1011X-T1-GE3.pdf

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