HTNFET-DC - MOSFET N-CH 55V 8-DIP

codice articolo del costruttore

HTNFET-DC

Numero parte interna

AX-HTNFET-DC

fabbricante

Honeywell Aerospace

Breve descrizione

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9150 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 243.6~~

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Specifiche per HTNFET-DC

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HTNFET-DC

fabbricante : Honeywell Aerospace

Descrizione : MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Serie : HTMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 5V

Vgs (massimo) : 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 28V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 50W (Tj)

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Pacchetto / caso : 8-CDIP Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HTN , HTNF

Documenti per HTNFET-DC

Schede tecniche : HTNFET-DC.pdf

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