IXFH60N65X2-4 - MOSFET N-CH
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
57020 Pieces
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Specifiche per IXFH60N65X2-4
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXFH60N65X2-4
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET N-CH
Serie :
HiPerFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
108nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
6300pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
780W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-247-4L
Pacchetto / caso :
TO-247-4
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXFH60N65X2-4
Schede tecniche :
IXFH60N65X2-4.pdf
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