PHK28NQ03LT,518 - MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

codice articolo del costruttore

PHK28NQ03LT,518

Numero parte interna

AX-PHK28NQ03LT,518

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

62255 Pieces

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Specifiche per PHK28NQ03LT,518

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PHK28NQ03LT,518

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 23.7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 6.25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per PHK28NQ03LT,518

Schede tecniche : PHK28NQ03LT,518.pdf

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