VS-8EWS12STR-M3 - DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
298545 Pieces
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Specifiche per VS-8EWS12STR-M3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
VS-8EWS12STR-M3
fabbricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Corrente: media rettificata (Io) :
8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Velocità :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
-
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
50µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore :
D-PAK (TO-252AA)
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per VS-8EWS12STR-M3
Schede tecniche :
VS-8EWS12STR-M3.pdf
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