FDC6506P - MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6

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Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FDC6506P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDC6506P
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 15V
Potenza - Max : 700mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : FD , FDC6

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Schede tecniche : FDC6506P.pdf

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