CSD19532KTTT - MOSFET N-CH 100V TO-263-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD19532KTTT
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V TO-263-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
208595 Pieces
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Specifiche per CSD19532KTTT
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : CSD19532KTTT
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET N-CH 100V TO-263-3
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5060pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 250W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DDPAK/TO-263-3
Pacchetto / caso : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per CSD19532KTTT
Schede tecniche : CSD19532KTTT.pdf
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