BUK652R1-30C,127 - MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

codice articolo del costruttore

BUK652R1-30C,127

Numero parte interna

AX-BUK652R1-30C,127

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

62250 Pieces

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Specifiche per BUK652R1-30C,127

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BUK652R1-30C,127

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 168nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10918pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 263W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per BUK652R1-30C,127

Schede tecniche : BUK652R1-30C,127.pdf

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