APTM100H45STG - MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
5320 Pieces
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Specifiche per APTM100H45STG
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
APTM100H45STG
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
154nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4350pF @ 25V
Potenza - Max :
357W
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
SP4
Pacchetto dispositivo fornitore :
SP4
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per APTM100H45STG
Schede tecniche :
APTM100H45STG.pdf
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