APTC80H29T1G - MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per APTC80H29T1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APTC80H29T1G
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2254pF @ 25V
Potenza - Max : 156W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : SP1
Pacchetto dispositivo fornitore : SP1
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : APTC , APTC80

Documenti per APTC80H29T1G

Schede tecniche : APTC80H29T1G.pdf

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