DMN1019USN-13 - MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

codice articolo del costruttore

DMN1019USN-13

Numero parte interna

AX-DMN1019USN-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

3558920 Pieces

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Specifiche per DMN1019USN-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN1019USN-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50.6nC @ 8V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2426pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 680mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-59

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN1 , DMN101

Documenti per DMN1019USN-13

Schede tecniche : DMN1019USN-13.pdf

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