VS-SD303C10S10C - DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
11784 Pieces
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Specifiche per VS-SD303C10S10C
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : VS-SD303C10S10C
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Corrente: media rettificata (Io) : 350A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.26V @ 1100A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 1µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 35mA @ 1000V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Clamp On
Pacchetto / caso : DO-200AA, A-PUK
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-200AA, A-PUK
Temperatura operativa - Giunzione : -
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per VS-SD303C10S10C
Schede tecniche : VS-SD303C10S10C.pdf
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