IPD50N03S207ATMA1 - MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

codice articolo del costruttore

IPD50N03S207ATMA1

Numero parte interna

AX-IPD50N03S207ATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

877815 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.319614~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha IPD50N03S207ATMA1 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per IPD50N03S207ATMA1. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per IPD50N03S207ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPD50N03S207ATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.3 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 85µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 136W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPD50 , IPD50N03

Documenti per IPD50N03S207ATMA1

Schede tecniche : IPD50N03S207ATMA1.pdf

Prodotti correlati per IPD50N03S207ATMA1 Infineon Technologies

Numero parte	Marca	Descrizione
WI140266WJ10336BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WF125300WJ76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
WF165270WJ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 14KV SCREW.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	CAP CER 52PF 400VAC SL RADIAL.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
CDR01BX102BKZSAT	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.