IPAN60R800CEXKSA1 - MOSFET NCH 600V 8.4A TO220

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MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Stato RoHS
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Specifiche per IPAN60R800CEXKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPAN60R800CEXKSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Serie : CoolMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 170µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17.2nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 373pF @ 100V
Caratteristica FET : Super Junction
Dissipazione di potenza (max) : 27W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220 Full Pack
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IPAN6 , IPAN60R8

Documenti per IPAN60R800CEXKSA1

Schede tecniche : IPAN60R800CEXKSA1.pdf

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