1N4150_T26A - DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

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DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 1N4150_T26A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 1N4150_T26A
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 50V
Corrente: media rettificata (Io) : 200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) : 6ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-35
Temperatura operativa - Giunzione : 175°C (Max)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : 1N4 , 1N415

Documenti per 1N4150_T26A

Schede tecniche : 1N4150_T26A.pdf

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