SI5980DU-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI5980DU-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI5980DU-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 78pF @ 50V
Potenza - Max : 7.8W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® ChipFet Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI5980DU-T1-GE3
Schede tecniche : SI5980DU-T1-GE3.pdf
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