IPT60R125G7XTMA1 - MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8

codice articolo del costruttore

IPT60R125G7XTMA1

Numero parte interna

AX-IPT60R125G7XTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

210740 Pieces

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Specifiche per IPT60R125G7XTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPT60R125G7XTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8

Serie : CoolMOS™ G7

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 320µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 120W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-HSOF-8-2

Pacchetto / caso : 8-PowerSFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPT60 , IPT60R12

Documenti per IPT60R125G7XTMA1

Schede tecniche : IPT60R125G7XTMA1.pdf

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