MT3S111P(TE12L,F) - RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

codice articolo del costruttore

MT3S111P(TE12L,F)

Numero parte interna

AX-MT3S111P(TE12L,F)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1222495 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per MT3S111P(TE12L,F)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MT3S111P(TE12L,F)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : NPN

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 6V

Frequenza - Transizione : 8GHz

Figura del rumore (dB Typ @ f) : 1.25dB @ 1GHz

Guadagno : 10.5dB

Potenza - Max : 1W

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore : PW-MINI

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MT3S1 , MT3S111P

Documenti per MT3S111P(TE12L,F)

Schede tecniche : MT3S111P(TE12L,F).pdf

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